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IPW65R310CFDFKSA1 - Infineon Technologies

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Kynix Teil #: KY13-IPW65R310CFDFKSA1
Hersteller Teil #: IPW65R310CFDFKSA1
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO247
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet IPW65R310CFDFKSA1 Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
16 Weeks
Package / Case  
TO-247-3
Mount  
Through Hole
Mounting Type  
Through Hole
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Power Dissipation (Max)  
104.2W Tc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
11.4A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Turn Off Delay Time  
45 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
4.5V @ 440μA
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tube
Series  
CoolMOS™
Published  
2008
JESD-609 Code  
e3
Pbfree Code  
yes
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
3
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Tin (Sn)
Terminal Position  
SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Configuration  
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time  
11 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
310m Ω @ 4.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
1100pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
41nC @ 10V
Rise Time  
7.5ns
Vgs (Max)  
±20V
Fall Time (Typ)  
7 ns
Continuous Drain Current (ID)  
11.4A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
20V
Max Dual Supply Voltage  
650V
Avalanche Energy Rating (Eas)  
290 mJ
RoHS Status  
RoHS Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:IPW65R310CFDFKSA1 Enthaltenes Wort ist 5
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
IPW65R310CFDFKSA1 TO-247-3 MOSFET N-CH 650V 11.4A TO247
IPW65R280C6FKSA1 TO-247-3 MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247
IPW65R190C7XKSA1 TO-247-3 Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
STW18N60DM2 TO-247-3 STMICROELECTRONICS STW18N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 12 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V
IPW60R330P6FKSA1 TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 12A TO247-3
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    • IPW65R310CFDFKSA1 PDF
    • IPW65R310CFDFKSA1 Datenblätter
    • IPW65R310CFDFKSA1 Bild
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    Kynix Teil #: KYundefined-undefined
    Hersteller Teil #:
    Produktkategorie:
    Hersteller:
    Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO247
    Verpackung: TO-247-3
    Menge:
    Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
    Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
    Datenblatt: datasheet  Datenblatt
    Lagerbestand: 5 Kann sofort geliefert werden
    Stückpreis: 1.09735
    Menge. Stückpreis
    1+: $1.09735
    10+: $1.03523
    100+: $0.97664
    500+: $0.92135
    1000+: $0.86920
    Zwischensumme: $1.09735
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